IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐压达4KV以上的IGBT系列电力电子器件，通过采取增强注入的结构实现了低通态电压，使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。 IEGT具有作为MOS系列电力电子器件的潜在发展前景，具有低损耗、高速动作、高耐压、有源栅驱动智能化等特点，以及采用沟槽结构和多芯片并联而自均流的特性，使其在进一步扩大电流容量方面颇具潜力。
IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐压达4KV以上的IGBT系列电力电子器件，通过采取增强注入的结构实现了低通态电压，使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。 IEGT具有作为MOS系列电力电子器件的潜在发展前景，具有低损耗、高速动作、高耐压、有源栅驱动智能化等特点，以及采用沟槽结构和多芯片并联而自均流的特性，使其在进一步扩大电流容量方面颇具潜力。
另外，通过模块封装方式还可提供众多派生产品，在大、中容量变换器应用中被寄予厚望。日本东芝开发的IEGT利用了“电子注入增强效应”，使之兼有IGBT和GTO两者的优点：低饱和压降，宽安全工作区(吸收回路容量仅为GTO的1/10左右)，低栅极驱动功率(比GTO低两个数量级)和较高的工作频率。器件采用平板压接式电极引出结构，可靠性高，性能已经达到4.5KV/2100A的水平。
采用适当的MOS栅结构，在促进电子注入效应增大时，从沟道注入N层的电子电流也相应增加。如果采用槽形结构，则沟道的迁移率增大。该槽栅越深，促进电子注入的效果越显著。对于一般IGBT，电子电流占总电流比率小于0.75。而对于P-IEGT，由于有促进电子的注入效应，可使这一比率超过0.75。对于T-IGET，其电流比率为0.8以上，性能有较大改进。其结果使IEGT的通态电压呈现较低值，可与普通晶闸管相当。IEGT具有高速导通晶闸管同样微细的MOS栅结构，又有IGBT同样的导通能力，作为脉冲功率用器件受到重视。
IEGT的参数指标如下：
1、集-射极最大额定电压
指栅极到发射极短路时，器件集电极到发射极能承受的最大直流电压。
2、栅-射极最大额定电压
指集电极到发射极短路时，器件栅极能承受的最大电压，一般其绝对值在20V以内。
3、集-射极通态电压
指在额定集电极电流、规定的结温下集电极到发射极的电压。
4、栅-射极关断电压
指在栅-射极电压最低的情况下，不使IEGT导通的电压。
5、集电极电流Ic
指在额定的结温条件下，集电极可连续工作而不造成IEGT损坏的最大直流电流值。
6、集电极峰值电流
指在额定的结温、规定的脉冲宽度下，集电极承受的最大脉冲峰值电流。
7、栅极漏电流
指对应集-射极短路，Vce=20V时，，栅极的漏电流。
8、集电极关断电流
指栅极到发射极短路，集-射极电压为20V时，集电极的电流。
9、最高结温
指IEGT从可正常使用而不损坏时，所允许的内部PN结最高温度。
10、导通损耗
指IEGT从关断到导通的全过程中总的能量损耗，其最终的集电极电流为器件的额定电流。
11、关断损耗
指IEGT从导通到关断的全过程中总的能量损耗，其最初的集电极电流为器件的额定电流。
应用行业
35kV SVG，柔性输电项目，机车牵引等
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