SIMOX SOI晶片是在高温条件下，将高剂量氧离子注入到单晶硅中形成隔离层，在超高温退火条件下形成顶层硅、二氧化硅埋层、体硅三层结构的新型半导体材料。主要用于制造高速微处理器、高速通讯、三维图象处理、先进多媒体电路、低压低功耗移动计算机、移动电话、便携式电子设备电路。
SIMOX SOI晶片是在高温条件下，将高剂量氧离子注入到单晶硅中形成隔离层，在超高温退火条件下形成顶层硅、二氧化硅埋层、体硅三层结构的新型半导体材料。主要用于制造高速微处理器、高速通讯、三维图象处理、先进多媒体电路、低压低功耗移动计算机、移动电话、便携式电子设备电路。
SIMOX(separation by implantation of oxygen, separation with implanted oxygen)：注氧隔离
技术特点：
1.可实现完全介质隔离
2.低压、低功耗
3.运行速度快
4.抗辐射性能好
5.耐高温
温馨提示：
