砷化镓生长法

砷化镓生长法，属性是砷化镓，电阻率最高是可做到10MΩ·cm的材料。

砷化镓生长法详细介绍

砷化镓生长法，属性是砷化镓，电阻率最高是可做到10MΩ·cm的材料。

砷化镓生长法简介

垂直布里其曼法（VB法）

垂直布里其曼法（VB法、坩埚下降法）可以说是一种生长GaAs 单晶的新方法，它综合水平布氏法和液封直拉法的优点，可直接生长出完整性好的圆形GaAs单晶；以及还有垂直梯度凝固法（VGF法）。此外通过计算机建立模型的方式实现砷化镓的工艺模拟，包括能对定向凝固法（DS法）， VB法， VGF法的FEMAG/DS、FEMAG/VB等都有很好的解决方法。

砷化镓生长法疑难解析

由于安瓿与熔料间的直接接触面积大，因此难以得到高阻衬底，这是标准Bridgman法生长的难点。为克服这一困难，提出了多项技术，其中引用得最多的两种，是垂直Bridgman法和纵向梯度冷凝法，二者的基本思路都是将水平Bridgman设备竖起来。为使无效熔料体积减至最小，先将熔料盛放在通常是氮化硼制的舟中，然后再将舟密封在一个熔融石英制的安瓿中。可以多添加一些砷来维持化学组分。将安瓿放入炉中，声闻之略高于熔点，此生长速度限制在每小时几个毫米。一般说来，采用这些技术所获得的结果是，电阻率最高可做到10MΩ·cm的材料。近来，垂直Bridgman技术已扩展至4in圆片制造，甚至6in圆片方面取得的结果也是乐观的。