hbt

hbt为深圳市先亚进出口有限公司旗下所设的企业展示主站与销售平台网站“合宝堂”的英文简称。英文全称为“herbtown”，中文名为“合宝堂”。

hbt详细介绍

hbt为深圳市先亚进出口有限公司旗下所设的企业展示主站与销售平台网站“合宝堂”的英文简称。英文全称为“herbtown”，中文名为“合宝堂”。

hbt异质结双极晶体管

什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一种由砷化镓(GaAs)层和铝镓砷(AlGaAs)层构成的双极晶体管。

异质结是两种带隙宽度不同的半导体材料构成的结，和导电类型不同的结（PN结）无关。多数情况两类相结合，有时不重合。

由宽带隙半导体材料制作发射区，以窄带隙材料制作基区的双极型晶体管成为异质结双极型晶体管。

1、分类

按异质结数目：单异质结晶体管（SHBT）---只有发射结为异质结的HBT

双异质结晶体管（DHBT）---发射结合集电结均为异质结的HBT

按发射结和基区结构：

突变发射结HBT缓变发射结HBT突发发射结缓变基区HBT缓变发射结缓变基区HBT

2、工作原理

同质结双极管存在的主要问题：为提高电流增益，要求发射区重掺杂、基区轻掺杂，与为提高频率，又要求减小发射结电容、减少基区电阻而互相矛盾。为了解决该矛盾的根本途径是采用宽带隙半导体材料作成发射区，窄带隙材料作基区。由于降低了电子从发射区注入到基区的势垒，同时提高了空穴由基区向发射区反注入的势垒，提高了注入效率，进一步提高了电流增益，使器件在保持较高电流增益的条件下，提高晶体管的速度和工作频率。

3、特点

HBT与结构相近的同质结晶体管相比，具有以下特点：特征频率fT高；最高振荡频率fmax高；厄利（Early）电压较高（因基区掺杂浓度高，耗尽区不易在基区内扩展）；基区穿通电压较高；当输出功率大导热差时，Ic-UCE特性常出现负阻效应。

4、应用领域

微波、毫米波放大和震荡移动通信化合物超高速数字电路低温电路（Si/SiGe HBT），高温电路（AlGaN/GaN HBT）超高增益放大电路（PET和MISTJET）