SOI晶圆是指具有硅衬底上的绝缘层（SiO2）和上层薄层硅（Si）的晶圆结构。
SOI（Silicon-On-Insulator）晶圆技术是一种在硅衬底上生长或堆叠硅层和绝缘层的制造过程。绝缘层能够隔离上下两层硅层，使得SOI晶圆具有许多优势，例如降低了晶体管之间的串扰和杂散电荷，提高了晶体管的速度和可靠性。SOI晶圆可分为两种类型：全封装SOI（Fully Depleted SOI，FD-SOI）和部分封装SOI（Partial SOI，PSOI）。全封装SOI是指绝缘层将上层硅完全隔离，使得晶体管形成完全耗尽区，具有优良的电气特性。部分封装SOI是指绝缘层只将上层硅与下层硅部分隔离，适用于一些特别的应用领域。SOI晶圆技术可以广泛应用于集成电路、光电子器件、传感器等领域，具有提高性能、降低功耗和增强集成度等优点，是现代微电子制造中重要的技术之一。
