1. CVD在process过程中氧气很低。
2. 这是因为CVD（化学气相沉积）是一种利用化学反应在固体表面上沉积薄膜的技术。在CVD过程中，氧气的浓度需要控制在较低水平，以避免氧气与反应物发生不必要的反应。因为氧气具有较高的活性，可能会导致不良的副反应或者薄膜质量下降。
3. 此外，CVD过程中氧气浓度的控制还可以影响薄膜的成分和性质。通过调节氧气浓度，可以实现对薄膜的掺杂、晶体结构和表面形貌等方面的调控。因此，保持氧气浓度较低是CVD过程中的一个重要因素，以确保薄膜的质量和所需的性能。
问CVD在process过程中为什么氧气很低
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CVD（化学气相沉积）过程中，氧气的浓度低是因为CVD是一种通过气相反应在衬底表面沉积薄膜的方法，通常在高温下进行。
在很多CVD过程中，衬底和反应室内的气氛需要被惰性气体（例如氮气或氩气）填充以防止空气进入反应区域。
此外，CVD过程需要使用一种反应气体，例如二氧化硅、硫化氢、甲烷等，以及辅助气体，例如氢气等。在此过程中，氧气的浓度通常很低，以避免与反应气体发生反应，并保持反应体系的稳定性。因此，氧气浓度低并不意外，是CVD过程的正常情况。
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