二极管反向电流公式，麻烦给回复
二极管的反向饱和电流Is受温度影响，工程上一般用式 Is(t)=Is(t0)2^[(t-t0)/10] 近似估算，式中t0为参考温度。
上式表明温度每升高10℃时，Is(即本征激发的载流子浓度值ni)增大一倍。反向电流是：指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25时反向电流若为250uA，温度升高到35，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如；2CP10型硅二极管；25时反向电流仅为5uA，温度升高到75时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
当二极管正极接电源正极时,二极管导通,电阻两端的电压等于电源电压减去二极管的正向压降：
1、00-0.6=99.4V；
当二极管正极接电源负极时,二极管截止,通过电阻的电流约等于反向峰值电流,电阻两端的电压等于10微安×10千欧=0.1V
二极管的反向电流等于pn结的反向电流，所以看看pn结的反向电流是如何产生的。pn结的反向电流是pn结加上反向电压形成的。由于pn结加反向电压，所以pn结的电位差增加，pn结宽度增加，相应的空间电荷量增加，并使pn结内建电场强度增加。
由于内建电场强度增加，把空穴扫回p区，把自由电子扫回n区。
这样产生两方面影响，一是p区n区的多子(空穴和自由电子)扩散不能进入pn结；
二是p区n区的少子(自由电子和空穴)扩散到pn结边界时，分别被扫到n区和p区，这样就形成了从n区→p区的反向电流。所以，二极管的反向电流是由少子运动引起的，而不是由多子运动引起。
