EUV光刻机和浸没式光刻机是两种不同的光刻技术，它们的区别包括以下几个方面：光源波长：EUV光刻机使用极紫外（EUV）光源，波长为13.5纳米，而浸没式光刻机使用的是紫外光源，波长通常为193纳米。
光刻层厚度：浸没式光刻机在曝光前会在光刻层表面涂覆一层液体（通常是水），使光通过液体进入到光刻层中进行曝光，这样可以减小光的波长对于光刻层的限制，有效提高分辨率。而EUV光刻机则不需要液体浸没，直接使用极短的波长进行曝光，因此不需要光刻层液体浸没的步骤。光学系统：由于EUV光的波长极短，其传输和聚焦需要采用反射式光学系统。浸没式光刻机使用的是折射式光学系统。设备成本：EUV光刻机技术相对较新，设备制造成本较高，而浸没式光刻机技术已经比较成熟，设备成本相对较低。总体来说，EUV光刻机具有更高的分辨率和更小的制程尺寸，因此在制造微型芯片和高密度集成电路方面具有更大的应用潜力。然而，EUV光刻机技术的商业化推广和应用还面临一些挑战，包括设备成本、光源稳定性和光刻层材料的适应性等方面的问题。
